千赫兹分子激光器MLI‑ArF‑1000，波长193 nm氟化氩（ArF），最大重复频率1000 Hz；标准功率SP稳定脉冲能量6 mJ，最大9 mJ；高功率HP配置稳定能量8 mJ，最大12 mJ，脉冲宽度5‑10 ns，能量稳定性σ＜2%。需要重点关注风冷机型的占空比约束。

MLI‑ArF‑1000｜风冷193 nm ArF千赫兹激光器，科研与中小批量柔性加工优选

在很多实验室、中小规模研发产线，设备现场缺少水冷配套条件，没有换热器或者自来水管路，但是又需要193 nm ArF深紫外激光，最高1000 Hz脉冲输出。德国MLase MLI‑ArF‑1000风冷分子激光器，作为MLI‑ArF‑1000‑LC水冷版本的风冷兄弟机型，无需外接水冷管路，依靠机内风冷散热，兼顾193 nm波长、最高1000 Hz脉冲能力，适合间歇式实验、研发打样、小批量柔性加工场景，是无水冷条件下高性能ArF准分子的理想选择。

千赫兹分子激光器 

MLI‑ArF‑1000，波长193 nm氟化氩（ArF），最大重复频率1000 Hz；标准功率SP稳定脉冲能量6 mJ，最大9 mJ；高功率HP配置稳定能量8 mJ，最大12 mJ，脉冲宽度5‑10 ns，能量稳定性σ＜2%。需要重点关注风冷机型的占空比约束：1000 Hz工况下，风冷AC版本最大占空比仅20%，允许最多连续5分钟工作，之后需要停机冷却；降低重复频率，占空比可以提升，500 Hz时最高40%占空比（最长连续10分钟）；200 Hz及以下则可以100%占空比不间断运行。这个特性决定该机型更加适合间歇Burst脉冲模式、研发打样、短时间实验，而非7×24小时不间断量产产线。整机风冷散热，仅需要环境空气对流散热，不需要外接冷却水、换热器，安装部署非常简单，插上230V单相电源即可使用，非常适合实验室改造项目、移动测试平台、研发样机开发场景。 

核心技术架构延续MLase MLI系列成熟设计，全金属密封激光腔体，光学窗口全部金属密封，有效缓解ArF腐蚀性气体消耗，动态气体寿命＞5000万脉冲，减少气体更换频次。电晕预电离技术，输出光束均匀，光束尺寸6×3 mm，发散角2×1 mrad。内置能量传感器闭环稳定，实时补偿脉冲能量漂移，短时间实验条件下，脉冲‑脉冲能量稳定性达到σ＜2%，保障样品之间工艺可对比。固态脉冲开关，无需长时间预热老化，开机可以快速投入实验。整机尺寸560×315×445 mm，重量75 kg，相比水冷LC版本，设备宽度缩减40 mm，更加节省机柜空间。通讯接口USB、RS‑232，配套原厂控制软件，可以设置重复频率、高压，读取脉冲计数、能量读数，支持自动气体交换；集成安全快门，满足EN 60825‑1激光安全标准，便于科研设备或者OEM样机集成。产品按照ISO 13485质量管控体系制造，硬件平台和水冷版本同源，硬件可靠性经过大量装机验证。 

应用场景方面，MLI‑ArF‑1000风冷机型更适配研发、打样、间歇工作工况。高校科研方向：193 nm微纳加工工艺探索、科研光刻工艺开发、LA‑ICP‑MS质谱分析、LIBS光谱实验，大部分科研实验是短时Burst脉冲曝光，风冷占空比限制不会造成明显障碍；工业研发部门，新产品工艺打样，小批量试产，频繁切换样品，间歇工作模式；医疗器械研发，眼科设备原型机验证，医用高分子材料刻蚀工艺开发；半导体研发实验室，掩模清洗工艺探索、材料紫外辐照改性研究。 

千赫兹分子激光器

选型时需要清晰区分风冷AC与水冷LC的适用边界。MLI‑ArF‑1000风冷，优势是部署简单，不需要水冷配套，成本更友好；短板是1000 Hz高频下存在占空比上限，不能长时间连续不间断运行。如果你的工况是需要连续数小时1000 Hz满负荷不间断输出，则应当优先选择MLI‑ArF‑1000‑LC水冷型号；而如果你以工艺研发、打样、间歇Burst脉冲实验为主，现场没有水冷基础设施，那么MLI‑ArF‑1000风冷机型性价比更高。 

很多科研用户容易只看最高重复频率参数，忽略占空比参数，采购风冷机型之后，做长时间连续实验遇到过热保护停机。MLase产品文档清晰标注不同频率下风冷占空比参数，帮助用户规避选型风险。该机型和水冷版本的光束品质、脉冲能量参数指标一致，当未来项目从研发阶段走向量产，可直接升级为LC水冷版本，工艺参数具备可迁移性，前期研发积累的工艺数据可以复用，保护科研投入。 

总结，MLI‑ArF‑1000风冷193 nm分子激光器，无需水冷配套，具备最高1000 Hz脉冲输出能力，适合实验室科研、工艺打样、样机开发等间歇式工作场景。只要充分理解风冷机型占空比约束，匹配Burst间歇工作模式，该机型可以提供和水冷版本同源的光束质量与脉冲稳定性，以更简易部署条件完成193 nm深紫外各类研发工作。